Optimum Bandgap and Supply Voltage in Tunnel FETs
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CMOS Bandgap Voltage Reference With 1.8-V Power Supply
To overcome the limitation of the silicon energy gap in electron volts 1.2V wluch leads to tllat the voltage reference is fixed at about 1.2V. a design of current-mode (CM) architecture CMOS bandgap voltage reference with afiitnry voltage value by setting tlie resistor value is presented liere with Ion 1.8-V power supply. Tlie siniiilation results indicate a temperature coefficient (TC) of jppm...
متن کاملDevice Modeling of Tunnel FETs
あらまし CMOSの微細化限界などによる新原理トランジスタの候補として,トンネル FETの研究が行われ ている.筆者らは,成熟したシリコン技術を用いて,トンネル FET の試作・評価を行うのと並行し,デバイス シミュレーションを用いたモデリングを実施した.最初にバンド間トンネルのモデル化について,その仮定・精 度を実測と比較しながら検討し,非局所電界に基づくモデルを採用した.デバイスの設計指針や,実測される電 気特性の解釈には,そのモデルを用いたデバイスシミュレーションを使用した.応用の側面から回路シミュレー ションが必要となり,素子動作のコンパクトモデル化を,デバイスモデリングの経緯に基づいて行い,そのモデ ルは回路応用上の課題の検討に用いられた.また,このように新デバイスの開発とモデリングを同時並行に進め ることは,双方にとって大きなメリットがある. キーワード トンネル FET...
متن کاملBreakdown Voltage of High-voltage GaN FETs
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متن کاملAxial Ge/Si Nanowire Heterostructure Tunnel FETs
The vapor-liquid-solid (VLS) growth of semiconductor nanowires allows doping and composition modulation along their axis and the realization of axial 1D heterostructures. This provides additional flexibility in energy band-edge engineering along the transport direction which is difficult to attain by planar materials growth and processing techniques. We report here on the design, growth, fabric...
متن کاملCmos Bandgap Voltage Reference
This paper presents an example of the CMOS bandgap voltage reference design. Proposed circuit is evaluated with a set of simulations. Simulation results show the circuit performance. Circuit exhibits the nominal temperature coefficient of 6 ppm/°C, and dc power supply rejection of 130 dB.
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ژورنال
عنوان ژورنال: IEEE Transactions on Electron Devices
سال: 2014
ISSN: 0018-9383,1557-9646
DOI: 10.1109/ted.2014.2330805